Фрязинский завод мощных резисторов

Фрязинский завод мощных резисторов

4 тов.
Вид:
Телефон:
Сайт: fzmt.ru
Адрес:
Россия, Фрязино, Заводской проезд, 3
Сайт: fzmt.ru
Адрес:
Россия, Фрязино, Заводской проезд, 3
  • Выбрано: 0
    Применение
  • Выбрано: 0
    Название
    • Выбрано: 0
      Компания
    • Выбрано: 0
      Производство
    • Выбрано: 0
      Дополнительно
      Все фильтры
      • 3
        Применение
      • 0
        Название
        • 1
          Компания
        • 1
          Производство
        • 0
          Дополнительно
          Вид:
          4 тов.
          Измеритель теплового сопротивления мощных транзисторов и диодов RТп-к-02
          Измеритель теплового сопротивления мощных транзисторов и диодов RТп-к-02
          Технические характеристики: Производительность измерителя при работе в «точке» режима IК— UКЭ— tи— не менее 300 приборов в час. Типы используемых транзисторов: n-p-n БМТ и n-канальные МДП. Типы корпусов испытуемых приборов (ИП): КТ-9, КТ-18, КТ-28, КТ-19, КТ-5, КТ-97А, КТ-97В, КТ-97С. Допускается также использование других корпусов ИП при наличии сменных контактных устройств. Схема измерения (испытания)— схема с общей базой. Измеряемые (контролируемые) параметры: температура перегрева перехода кристалла ИП в импульсном режиме (DTj), предельно-допустимые соотношения IК— UКЭ— tи на участке предельной мощности области безопасной работы МТ. Основная относительная погрешность измерителя при определении и контроле DTj— не более ±10% для простых МТ и не более ±15% для составных МТ. Греющий ток коллектора ИП IКгр задается от 100мА до 20А в диапазонах 1, 10, 30А в автоматическом или ручном режиме. Погрешность задания IК в автоматическом режиме— не более ±(3%+ 2EМР), где EМР— единица набора младшего разряда программного переключателя IК. Погрешность задания IК в ручном режиме— не более ±(2% + 2EС), где EС— единица счета младшего разряда цифрового табло измерителя. Длительность tфр переднего фронта импульса тока IЭ в ручном режиме не более 50мкс, в автоматическом режиме— не более 500мкс. Длительность tфр заднего фронта импульса тока IЭ в обоих режимах— не более 50мкс. Амплитуда выбросов на фронтах— не более 10%. Время установления импульса IЭ (IК)— не более 5мкс при IК≤ 10 А и не более 10мкс при IК> 10А. Неравномерность вершины импульса IЭ (IК)— не более 4%. Напряжение коллекторного питания UКК (UКБ) регулируется от 10 до 60В. Параметры источника коллекторного питания UКК следующие: выходное напряжение Uвых от 10 до 60В, выходной ток Iвых от 0 до 20А, емкость на выходе источника CКК= 3·104мкФ. Погрешность измерения амплитуды импульса UКЭ внутренним цифровым измерителем— не более ±(2% + 0,2В). Длительность импульса греющего тока (tu = tгр) регулируется от 1мс до 2,5с с шагом 10мкс, 100мкс или 1мс. Погрешность задания tu не более ±(5% + 100мкс). Период повторения TП тактовых импульсов равен 1с. Погрешность задания TП не более ±10%. Измерительный ток ИП IЭ ИЗМ может принимать значения 10, 20, 50, 100, 200 и 500мА. Погрешность задания IЭ ИЗМ не более ±4%. Время задержки tзд устанавливается в пределах от 10 мкс до 104 мкс с шагом 1 мкс. Погрешность задания tзд ±(5% + 5мкс). Измеритель обеспечивает нормальную работоспособность в течение не менее 8часов. Максимальная потребляемая мощность от сети— не более 800Вт. Габаритные размеры (Д× Ш× Г) 1100× 985× 1250мм. Масса измерителя не более 200кг.
          Произведено в: Фрязино
          Измеритель заряда затвора ИЗЗ-01
          Измеритель заряда затвора ИЗЗ-01
          Технические характеристики: Измерение и контроль заряда затвора QЗ мощных транзисторов (МТ) МДП типа (n-канальные МОП МТ и БТИЗ) как при включении мощных транзисторов, так и при их выключении. Измерение и контроль пороговых напряжений Uпор МОП МТ и БТИЗ. Измерение и контроль напряжения сток—исток UСИоткр в открытом состоянии ключа, характеризующего сопротивление Rоткр для МОП МТ, или напряжения насыщения коллектор—эмиттер UКЭнас для БТИЗ. Тестирование МТ на отсутствие контактов и выявление пробитого МТ в начале измерительного цикла. Вывод результатов измерений на чёрно-белый внутренний дисплей измерителя. Разбраковка МТ по результатам измерений на группы ГОДЕН/БРАК. Диапазон измерений заряда затвора QЗ — от 10 нКл до 1000 нКл. Уровень ограничения напряжения затвор—исток UЗИогр — от 5 В до 20 В. Длительность tИ открывающего и запирающего импульсов по затвору имеет два фиксированных значения: tИ = tON = tOFF = 100 мкс или 300 мкс. Открывающий и запирающий токи IЗ затвора МТ имеют два фиксированных значения: IЗ = IЗ, ON = –IЗ, OFF = 1,0 мА или 10,0 мА и задаются генератором тока затвора. Ток стока IC регулируется плавно и задаётся от 1 А до 100 А с помощью генератора тока стока. Напряжение питания UСС генератора тока стока регулируется плавно и задаётся от 10 до 100 В. Измерение заряда затвора QЗ и его составляющих (заряда затвор—исток QЗИ и заряда затвор—сток QЗС) проводится на основе маркёрных измерений в точках интереса, фиксируемых по времени в форме сигнала UЗИ с использованием осциллографа. Суммарный заряд затвора SQЗ фиксируется по заданному уровню напряжения UЗИ — в этом случае использование осциллографа не обязательно.
          Произведено в: Фрязино
          Измеритель теплового сопротивления мощных транзисторов RТп-к-10
          Измеритель теплового сопротивления мощных транзисторов RТп-к-10
          Технические характеристики: Производительность измерителя при контроле теплового сопротивления RTп-к в «точке режима» IС — UСИ — tи — не менее 400 приборов в час. Типы корпусов испытуемых приборов (ИП): КТ-9, КТ-97А, КТ-97В, КТ-97С, КТ-111А, КТ-111В, КТ-111С. Схема измерения — схема с общей заземленной базой/катодом. Длительности разогревающего импульса ТПЧ tи от 10 мс до 5 с с шагом изменения 1 мс. Задержка измерения ТПЧ tзд от 10 мкс до 10 мс с шагом изменения 10 мкс. Напряжение UКЭ при измерении RТп-к мощных транзисторов от 12 до 30 В. Допустимая погрешность задания токов IК и IЭ ±3%, неравномерность вершин импульсов токов IК и IЭ ±5%, амплитуда выбросов на фронтах импульсов токов IК и IЭ ±5% по отношению к установившемуся значению. Допустимая погрешность измерения токов IК и IЭ внутренним цифровым измерителем по отношению к заданному значению ±(2% + 2 EС), где EС — единица счета младшего разряда цифрового табло измерителя. Допустимая погрешность измерения величины UЗИ внутренним цифровым измерителем ±(5% + 0,08 В). Ток коллектора (стока) IК (IС) в режиме открывания задается посредством генератора тока эмиттера (истока) в схеме с общей базой. Величина тока IК (IС) задается плавно от 1 до 100 А с разбиением на 2 поддиапазона: 10 и 100 А. Амплитуда выбросов на фронтах импульса тока IС в пределах ±5% при IС ≤ 50 А и в пределах ±10% при IС > 50 А. Погрешность задания и измерения тока IС внутренним цифровым измерителем в пределах ±(5% + 2 EС). Допустимая погрешность измерения величины Uпр параллельного диода в структуре МДП транзисторов внутренним цифровым измерителем ±3%. Допустимая погрешность измерения RТп-к ±15%. Допустимая погрешность измерения Dtп-к ±5%. Допустимая погрешность измерения напряжения UСИ ±(3% + 2 EС). Допустимая погрешность измерения постоянного прямого напряжения на испытуемом диоде Uпр ±5%. Измеритель обеспечивает нормальную работоспособность в течение не менее 8 часов. Максимальная потребляемая мощность — 1000 Вт. Габаритные размеры (Д × Ш × Г) 482 × 374 × 200 мм. Масса измерителя не более 12 кг.
          Произведено в: Фрязино
          Комплекс для испытаний на надежность мощных диодов КИНД
          Комплекс для испытаний на надежность мощных диодов КИНД
          Технические характеристики: Комплекс КИНД обеспечивает нормальную работоспособность в течение не менее 1000 ч. Типы корпусов испытуемых диодов (ИД) и диодных сборок (ДС): КТ-97А, КТ-111А-1.02, КТ-111А-2.02. Температура корпуса ИД задается от 85 до 130 °С. Схема испытаний — двухтактная схема с общим заземленным катодом для пары ИД. Количество приборов в одной испытательной секции — 4 ИД или 2 ДС. Общее количество приборов в комплексе определяется количеством испытательных секций. Средний прямой ток Iпр. ср каждого ИД — от 5 до 20 А. Импульсное обратное напряжение Uобр. и — от 20 до 1200 В. Максимальная потребляемая мощность не более 1200 Вт. Габаритные размеры (Д × Ш × Г) 641 × 636 × 1771 мм. Масса комплекса КИНД не более 110 кг.
          Произведено в: Фрязино