Комплектующие

На фазу линии электропередачи устанавливается один конденсатор СМП (СМПБ), один конденсатор СМ(СМБ) и один конденсатор СМВ (СМБВ) с одинаковой длиной пути утечки и одного вида климатического исполнения.

В состав модуля входят: матричное фотоприемное устройство, микрокриогенная система охлаждения, электронный блок сопряжения,блок электронной обработки с блоком питания. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Формат матрицы, элементов 640х512 Шаг элементов матрицы, мкм 15 Спектральная чувствительность, мкм 3,6 – 4,9 Частота кадров, Гц 50 Тип аналогового выходного сигнала ГОСТ 7845-92 Тип цифрового выходного сигнала Camera Link ЭШРТ, мК 25 Пространственное разрешение пар лин. /мм,не менее 33,3 Масса, г, не более 2200

ОСНОВНЫЕ ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ Наименование Значение Номинальное напряжение, В 63…450 Номинальная ёмкость, мкФ 100…2 200 Кратковременное перенапряжение в течение 10с, В 1.15 Uном (Uном≤315) 1.1 Uном (Uном>315) Допускаемое отклонение ёмкости (25°C, 50 Гц), % +50…-20; ±20 Повышенная температура среды Tокр, максимальное значение при эксплуатации, °С +125 Пониженная температура среды Tокр, минимальное значение при эксплуатации, °С -60

Брусок изготавливается в соответствии с МИ 1532-86 "Уровни рамные и брусковые для машиностроения. Методика поверки" (справочное приложение 5). Брусок используется при определении отклонения пузырька основной ампулы от среднего положения при установке уровня на ноль любой из его рабочих поверхностей.

Тиратроны работают при частоте повторения импульсов до 50000 имп/с при условии снижения импульсной и средней мощности. Напряжение анода, кВ 12 Напряжение анода обратное, кВ ≤ 4 Ток анода в импульсе, А 260 Ток анода средний, А 0.4 Длительность импульса тока анода, мкс ≥ 0.15 Частота повторения импульсов, имп./с 4500 Время разогрева, мин 3 Ток накала, А < 12 Габариты ØхH, мм 90x200.

Технические условия исполнения бК0.347.064ТУ22. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Время задержки распространения сигнала ≤ 800 нс при UCC = 5,0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Выходной ток низкого уровня ≥ 1,0 мА при UCC = 10,0 B, UO = 0,5 В, T = 25 °C. Выходной ток высокого уровня ≥ /-1,0/ мА при UCC = 10,0 B, UO = 9,5 В, T = 25 °C. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов : И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед., К1 по 1У

Количество гнезд, шт 33 Диаметр отверстий, мм 17 Глубина погружения, мм 200 Габаритные размеры (ШхГхВ), мм 235х80х215

Предназначена для термостатирования стаканов, колб и выпарительных чашек с образцами в лабораторной бане ЛБ33 и ЛБ33-Ш. Габаритные размеры 310х250х210 мм Масса 2.0 кг.

НПФ Прогресс разработал и внедрил в серийное производство вакуумные электромагнитные клапана. • Нормально закрытый угловой клапан с электромагнитным приводом • диапазон давлений от атмосферного до 1х10-6 Па. • Материал корпуса - алюминиевый сплав. • Выпускаются модификации с диаметром условного прохода (ДУ) 25 мм (возможно 16 мм) для небольших вакуумных систем. • Диапазон рабочих температур составляет 5-40оС.

Вибропреобразователь ВК-310А - первичный измерительный пьезоэлектрический преобразователь со встроенным предусилителем. Измеряемый параметр - виброускорение в рабочем диапазоне частот. На выходе формируется сигнал переменного напряжения, пропорциональный мгновенному значению виброускорения. Маркировка взрывозащиты 0ExiaIICT5 X. Подключение через разъем типа РС-4ТВ или BNC, по заказу - подключение кабелем в металлорукаве через гермоввод. Материал корпуса: алюминиевый сплав.

Мера блеска из черного полированного стекла. Значение блеска: • более 88 единиц блеска в геометриях освещения-наблюдения 20°/20°, 60°/60°, 85°/85° (ГОСТ 31975); • более 63 единиц блеска в геометрии освещения-наблюдения 45°/45° (ГОСТ 896).

Пример лодочки кварцевой (кварцевой кассеты) для пластин Ø76мм выполненной по документации Заказчика. Лодочка предназначена для технологических процессов в микроэлектронике, проводящихся при высоких температурах (450-1200˚С). Для загрузки в высокотемпературные печи.