Высокочастотный p-n-p транзистор малой мощности 2Т313 А-2/ЭП 2Т313 Б-2/ЭП

Технические условия исполнения бК0.347.064 ТУ4/02. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C. Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C. Выходной ток низкого уровня ≥ 1,0 мА при UCC = 10,0 B; UO = 0,5 B. Выходной ток высокого уровня ≥ /-1,0/ мА при UCC = 10,0 B; UO = 9,5 B. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед.; К1 по 1У

Технические условия исполнения бК0.347.064ТУ20. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Время задержки распространения сигнала управления ≤ 125 нс при UCC1 = 5 В, UCC2 = 0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Время задержки распространения сигнала ≤ 30 нс при UCC1 = 5 В, UCC2 = 0 В, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед., К1 по 1У.

Технические условия исполнения бК0.347.064 ТУ5/02. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Время задержки распространения сигнала при включении и выключении ≤ 700 нс при UСС = 5,0 В, CL= 50 пФ, T = 25 °C. Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C. Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C. Выходной ток низкого уровня ≥ 1,0 мА при UCC = 10,0 B; UO = 0,5 B. Выходной ток высокого уровня ≥ /-1,0/ мА при UCC = 10,0 B; UO = 9,5 B. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед.; К1 по 1У.

Технические условия исполнения бК0.347.064ТУ13. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Время задержки распространения сигнала при включении ≤ 80 нс при UCC = 10 B, CL = 50 pF, T = 25 °C. Время задержки распространения сигнала при включении ≤ 90 нс при UCC = 10 B, CL = 50 pF, T = 25 °C. Ток потребления ≤ 0,1 мкА при UCC = 10 В, T = 25 °C. Выходной ток низкого уровня ≥ 1,0 мА при UCC = 10 B, UO = 0,5 В, T = 25 °C. Выходной ток высокого уровня ≥ /-1,0/ мА при UCC = 10 B, UO = 9,5 В, T = 25 °C. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед., К1 по 1У

Тиратроны работают при частоте повторения импульсов до 50000 имп/с при условии снижения импульсной и средней мощности. Напряжение анода, кВ 25 Напряжение анода обратное, кВ 1.25 – 5.0 Ток анода в импульсе, А 700 Ток анода средний, А 1.0 Длительность импульса тока анода, мкс 0.5 – 11.0 Крутизна фронта импульса тока анода, А/с 1.5x109 Частота повторения импульсов, имп./с 500 Время разогрева, мин 7 Ток накала, А 22 Габариты ØхH, мм 135x220

Технические условия исполнения бК0.347.064ТУ24/02. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Время задержки распространения сигнала при включении, выключении ≤ 200 нс при UCC = 5 B, CL = 50 пФ, T = 25 °C. Максимальное выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,5 В при UCC = 5,0 B, UIH = 3,5 B, T = 25 °C. Выходной ток низкого уровня ≥ 37,0 мА при UCC = 10,0 B; UO = 0,5 B. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед.; К1 по 1У

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,2 Токовая монохроматическая чувствительность в масимуме, А/Вт, не менее Темновой ток, мкА, не более 7 Рабочее напряжение, В 75 Граничная частота, МГц, не менее 5 Емкость фотодиода, пФ, не более 70

Технические условия исполнения бК0.347.064ТУ31. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60° С до + 125 °С. Время задержки распространения при включении и выключении ≤ 600 нс при UCC = 5,0 В, CL = 50 пФ, Т = 25 о С. Выходной ток низкого уровня ≥ 1,3 мА при UCC = 10,0 B; UO = 0,5 B. Выходной ток высокого уровня ≥ /-1,3/ мА при UCC = 10,0 B; UO = 9,5 B. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2 по 2У; И3 по 0,5 х 2У; С3, К1, К3 по 0,5 х 1У; И4 - 1,5ед

Технические условия исполнения бК0.347.064 ТУ17/02. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Время задержки распространения сигнала ≤ 180 нс при UCC = 10 B, CL = 50 pF, T = 25 °C. Ток потребления ≤ 10,0 мкА при UCC = 10 В, T = 25 °C. Выходной ток низкого уровня ≥ 4,0 мА при UCC = 10 B, UO = 0,5 В, T = 25 °C. Выходной ток высокого уровня ≥ /-0,9/ мА при UCC = 10 B, UO = 9,5 В, T = 25 °C. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед.; К1 по 1У

Р1-8 - чип-резисторы общего применения, незащищенного варианта исполнения, предназначены для работы в цепях постоянного и переменного токов в герметичных объемах аппаратуры. Резисторы изготавливают в едином исполнении, пригодном как для ручной, так и для автоматизированной сборки аппаратуры.

PLD-CW-2000-ZIF — это драйвер лазерных диодов постоянного тока для питания 10/14-контактных модулей лазерных диодов типа «бабочка» в условиях, требующих высокоточного регулирования постоянного тока с низким уровнем пульсаций. Схема драйвера работает от одного источника питания 5 В пост. тока. Драйвер питает двунаправленный пропорционально-интегрально-дифференцирующий (PID) контроллер термо-электрического охладителя (TEC) с возможностью регулирования тока и напряжения. Максимальный ток TEC регулируется пользователем. Основные параметры PLD-CW-2000-ZIF (выходной ток, установленная температура, максимальный ток TEC, сигнал фотодиода монитора) управляются компьютерным интерфейсом. Драйвер имеет посадочные панели для пайки лазерного диода «бабочка» непосредственно на плату драйвера и большой теплоотвод для стабильного рассеивания тепла.

Технические условия исполнения АЕЯР.431200.610-06 ТУ. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания от -0,5 В до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до +125 °С. Время задержки распространения сигнала при включении и выключении (от входов управления к выходу ключа) ≤ 720 нс при UСС = 5,0 В, UIH = 5,0 В, UIL = 0 В, CL= 50 пФ, RL = 10,0 кОм, T = 25 °C. Падение напряжения на открытом ключе ≤ 600 мВ при UCC1 = 5,0 B, UIH = 5,0 B, UIL = 0 B, RL = 10,0 кОм, T = 25 °C. Предельное значение входного и выходного напряжения от -0,5 В до (UСС + 0,5) В. Стойкость к воздействию спецфакторов по группам исполнения: 7.И1 – 3Ус, 7.И6 – 4Ус, 7.И7 – 2 х 4Ус, 7.С1 – 10 х 1Ус, 7.С4 – 1Ус, 7.К1 – 0,4 х 1К, 7.К4 – 0,5 х 1К, 7.И8 - 0,02х1Ус.

Технические условия исполнения бК0.347.064ТУ1/02. Предназначены для применения в радиоэлектронной аппаратуре специального назначения. Основные характеристики: Диапазон напряжений питания от 4,2 В до 15,0 В. Предельное напряжение питания до 18,0 В. Диапазон рабочих температур от -60 °С до + 125 °С. Время задержки распространения сигнала при включении (выключении) ≤ 160 нс при UСС = 5,0 В, CL= 50 пФ, T = 25 °C. Выходное напряжение низкого уровня ≤ 0,01 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C. Выходное напряжение высокого уровня ≥ 4,99 В при UCC = 5,0 B, T = 25 °C. Выходной ток низкого уровня ≥ 1,0 мА при UCC = 10,0 B; UO = 0,5 B. Выходной ток высокого уровня ≥ /-1,0/ мА при UCC = 10,0 B; UO = 9,5 B. Показатели стойкости к воздействию спецфакторов: И1, И2, И3, С1 по 2У; С3, К3 по 1У; И4 - 1,5ед., К1 по 1У.