Поиск

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,3 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 90 Рабочее напряжение, В 25 Граничная частота, МГц, не менее 5

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,3 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 90 Рабочее напряжение, В 25 Граничная частота, МГц, не менее 5

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 0,9 мкм, А/Вт, не менее 0,35 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 150 Рабочее напряжение, В 20 Длительность импульса, нс 100

Фотодиод состоит из пластины высокоомного германия с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных площадок (ФЧП) 8 Размер ФЧП, мм 6х0,3 Количество разрядов кода Грея 2 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,8 - 1,6 Рабочие длины волн, мкм 1,06; 1,3; 1,55 Токовая чувствительность в максимуме, А/Вт, не менее, 0,4 Рабочее напряжение, В 0,2 Масса, г, не более 15

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,2 Токовая монохроматическая чувствительность в масимуме, А/Вт, не менее Темновой ток, мкА, не более 7 Рабочее напряжение, В 75 Граничная частота, МГц, не менее 5

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 0,9 мкм, А/Вт, не менее 0,35 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 150 Рабочее напряжение, В 20 Длительность импульса, нс 100

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,3 Темновой ток, мкА, не более 7 Емкость фотодиода, пФ, не более 90 Рабочее напряжение, В 25 Граничная частота, МГц, не менее 5

Фотодиод состоит из пластины высокоомного германия с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных площадок (ФЧП) 8 Размер ФЧП, мм 6х0,3 Количество разрядов кода Грея 2 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,8 - 1,6 Рабочие длины волн, мкм 1,06; 1,3; 1,55 Токовая чувствительность в максимуме, А/Вт, не менее, 0,4 Рабочее напряжение, В 0,2 Масса, г, не более 15

Фотодиод состоит из пластины высокоомного кремния с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных элементов (ФЧЭ) 1 Диаметр ФЧЭ, мм 14 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,4 – 1,1 Токовая монохроматическая чувствительность на длине волны 1,06 мкм, А/Вт, не менее 0,2 Токовая монохроматическая чувствительность в масимуме, А/Вт, не менее Темновой ток, мкА, не более 7 Рабочее напряжение, В 75 Граничная частота, МГц, не менее 5 Емкость фотодиода, пФ, не более 70

Фотодиод состоит из пластины высокоомного германия с p-i-n структурой расположенной в металлическом корпусе с металлостеклянными выводами и плоским входным окном. ТЕХНИЧЕСКИЕ ХАРАКТЕРИСТИКИ Наименование Значение Количество фоточувствительных площадок (ФЧП) 8 Размер ФЧП, мм 6х0,3 Количество разрядов кода Грея 4 Диапазон спектральной чувствительности, мкм 0,8 - 1,6 Рабочие длины волн, мкм 1,06; 1,3; 1,55 Токовая чувствительность в максимуме, А/Вт, не менее, 0,4 Рабочее напряжение, В 0,2 Масса, г, не более 15

Фотоприемное устройство с кремниевым фотодиодом (далее — ФПУ ФД) предназначено для регистрации световых потоков в спектральном диапазоне от 190 до 1100 нм. Устройство содержит фотодиод и предусилитель с АЦП преобразующий аналоговый сигнал в цифровой с частотой 40 кГЦ (25 мкс на один цикл АЦП) и микропроцессором с выходом на шину IIC. ФПУ ФД может использоваться для измерений при относительно высоких уровнях освещенности — когда шум, вызванный фотонами, сильнее шума встроенного усилителя.

Фотоприемное устройство с фотоэлектронным умножителем ФПУ ФЭУ может комплектоваться ФЭУ 1P28 для работы в диапазоне от 185 до 600 нм, или ФЭУ R928 для работы в диапазоне от 185 до 900 нм, или ФЭУ R5108 для диапазона от 400 до 1200 нм в зависимости от пожеланий заказчика. Все перечисленные ФЭУ производит фирма Hamamatsu. Устройство также содержит активную ламповую панель, включающую регулируемый высоковольтный источник питания и активный делитель напряжения и АЦП.