پژوهشکده OEP

شامل تراش دقیق ، چاک مرکزی ، لوله مرکزی اتوکلیمیشن ، سنسور نزدیکی دقیق

این برای کنترل موقعیت تابش تراز نسبت به دیافراگم عناصر نوری در میدان نزدیک و دیافراگم های کانونی فیلترهای فضایی خلاء در میدان دور طراحی شده است.

برای استفاده در سیستم های لیزری با قدرت بالا طراحی شده است. تقویت کننده ها از عناصر فعال ساخته شده از شیشه فسفات KGSS-0180 استفاده می کنند که در ارتباط با FGUP NITIIOM ایجاد شده اند. عنصر فعال در یک کویت شیشه ای پر از مایع خنک کننده غوطه ور قرار می گیرد. لامپ های زنون پالس که توسط یک روشن کننده آینه احاطه شده اند برای پمپ کردن عناصر فعال اصلی استفاده می شوند.

اصل فیزیکی عملیات: اثر جیب های الکترو نوری طولی. دامنه کاربرد: تجهیزات اندازه گیری ولتاژ بالا ، حفاظت از رله و اتوماسیون. مزایا: * جداسازی نوری بین واحد الکترود اندازه گیری و واحد پردازش اطلاعات * بدون عایق روغن قابل اشتعال * اندازه و وزن کوچک

آنها برای محافظت از مسیر تقویت کننده سیستم های لیزر حالت جامد با قدرت بالا از خود تحریک و محافظت از گره های نوری آن از تابش منعکس شده طراحی شده اند. VF از دو قطبی کننده تشکیل شده است که بین آنها یک سولنوئید نصب شده است که در آن یک عنصر نوری ساخته شده از شیشه مغناطیسی-نوری قرار می گیرد. سطوح قطبی شدن قطبی کننده ها در VF در زاویه 45 درجه تنظیم شده اند.

این بر اساس تنظیم کننده های اندازه گیری چند کاناله از نوع TRM با مجموعه ای از سنسورهای اندازه گیری (مبدل های لرزش) با خروجی نرمال (به عنوان مثال ، 4-20 میلی آمپر) اجرا می شود. این اندازه گیری پارامترهای ارتعاش و دما ، مقایسه آنها با نقاط تنظیم و انتقال داده های اندازه گیری به یک شبکه کامپیوتری اطلاعاتی (پروتکل ModBus) را فراهم می کند.

این شامل یک تراش دقیق ، یک چاک مرکزی ، یک میز پنج محور با یک تداخل سنج فاز نصب شده و یک جبران کننده هولوگرام سنتز شده است

لنزها نسبت کنتراست بالاتری (BCH) و کیفیت تصویر دارند. لنز با فاصله کانونی 174/74 میلی متر به شما امکان می دهد مقیاس تصویر را در آشکارساز بیش از دو بار تغییر دهید.