透镜FAC286s

它们用于大功率无线电设备的连续高频模式、脉冲模式和直流电路中。

SMD5032房屋 尺寸5.0x3.2x1.3(mm) 频率1-200兆赫 LVCMOS输出信号

SMD7050房屋 尺寸7.0x5x1.4(mm) 频率10-1500兆赫 LVPECL，LVDS输出信号

SMD5032 机体 尺寸 5.0x3.2x1.3(mm) 频率1-220兆赫 CMOS输出信号

通用。适用于大功率无线电设备的连续高频模式和直流电路。

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：13 高度，毫米：1 厚度，毫米：1.5 折射率，毫米：1.823 周期，毫米：0.5 45°位置半径，毫米：1.35 透过率，%：≥99.5 抗反射涂层，nm 适用于范围内的波长之一：400-1500 λ = 633 nm 处的表面质量：λ/4。

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：15 高度，毫米：6.5 厚度，毫米：2.81 折射率，毫米：1.823 有效焦距，毫米：14.2 半径，毫米：11.7 后焦距 12.7，毫米：≥99.5 透射率，% 适用于范围内的波长之一：400-1500 抗反射涂层，纳米： FA：0.5，SA：0.1 λ = 633 nm 处的表面质量：λ/4。

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：12 高度，毫米：1.0±0.02 厚度，毫米：0.36±0.01 折射率，毫米：1.823 有效焦距，mm：0.29 后焦距，mm：0.09 透射率，%：>99.5 角度 ± 2.3 mrad 内的功率，%：>85 抗反射涂层，nm 适用于范围内的波长之一：400-1500 数值孔径：0.5 表面质量λ=633，纳米：λ/4。

SMD5032 机体 尺寸5.0x3.2x1.3（mm) 频率1-220兆赫 CMOS输出信号

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：5.8±0.02 高度，毫米：1.5±0.02 厚度，毫米：0.55±0.01 折射率，毫米：1.823 节距，毫米：0.5 半径，毫米：1.49 有效焦距，毫米：1.81 后焦距，毫米：1.5 透射率，%：>99.5 抗反射涂层，nm 适用于范围内的波长之一：400-1500 数值孔径：0.09 表面质量 λ = 633 nm% λ/4 全角残余偏差 FW1/e2（对于无线性偏差的激光二极管），mrad：90.0。

光谱灵敏度范围，nm：810-870 暗电流（U=5V 时），nA：5 电容，pF：5 脉冲前沿的上升时间、下降时间，ns：4 当前单色灵敏度（波长λ=850 nm），A/W：0.3 光纤芯/包层直径，微米：50/125 存储温度，oC：-40…+60 光电探测器上的电压，V：≤10。

具有宽广的工作温度范围，适用于低压通用产品。

低噪声微波放大器广泛应用于要求低噪声的接收应用领域。 产品的工作条件    - 环境温度从 - 50 °С 到 + 55 °С；    - 温度为 35 °С 时，最大湿度为 95%。

规格说明 型号K1230DN1BR 频道数目2 房屋2101.8-1(DIP-8) 安装THT 该MC33161模拟 注意通用电压检测器 生产状况 Ser/生产状况 TU SF3.438.058-03TUGK的名称 场外交易的分配 最低工作温度 三重,ⅢC-45 最高工作温度 Tex max,⁰C85 工作电压范围，从 Uvx，在2 工作电压范围，最高可达 Uvc最大，在40 输出电压 二，在40 剩余电压 Uost，在0.2 参考电压 Uref，在2.54 释放电压 Ugs th，在1.245 工作电压 Ugs最大值，1.295 滞后宽度 嗯，mv25 输出电流 四，一0.02 短路电流 Icz最大值和0.03 静态电流消耗 开/关最大，mkA700 输出端的漏电流 Iol，mkA1

K78-99a系列补偿电容器用于校正频率为50-60hz的电网中气体放电灯和变压器电磁扼流圈的功率因数。 它们具有高电气强度，小尺寸和重量，具有显着的电容器容量。 它们由铝制外壳中的自修复聚丙烯薄膜制成，具有各种电气端子选项。

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：4 高度，毫米：0.5±0.02 厚度，毫米：0.4±0.01 折射率，毫米：1.823 有效焦距，mm：0.3 后焦距，mm：0.08 透射率，%：>99.5 角度 ± 2.2 mrad 内的功率，%：>92 抗反射涂层，nm 适用于范围内的波长之一：400-1500 数值孔径：0.7 表面质量λ=633，纳米：λ/4。