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硅外延平面 n-p-n 高功率开关高压晶体管 2T878A、2T878B、2T878V，采用金属玻璃外壳 KT-9，设计用于开关电路、脉冲调制器、二次电源和其他专用设备电路。 晶体管符合技术规范 aAO.339.574TU

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：12 高度，毫米：1.0±0.02 厚度，毫米：0.36±0.01 折射率，毫米：1.823 有效焦距，mm：0.29 后焦距，mm：0.09 透射率，%：>99.5 角度 ± 2.3 mrad 内的功率，%：>85 抗反射涂层，nm 适用于范围内的波长之一：400-1500 数值孔径：0.5 表面质量λ=633，纳米：λ/4。

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：5.8±0.02 高度，毫米：1.5±0.02 厚度，毫米：0.55±0.01 折射率，毫米：1.823 节距，毫米：0.5 半径，毫米：1.49 有效焦距，毫米：1.81 后焦距，毫米：1.5 透射率，%：>99.5 抗反射涂层，nm 适用于范围内的波长之一：400-1500 数值孔径：0.09 表面质量 λ = 633 nm% λ/4 全角残余偏差 FW1/e2（对于无线性偏差的激光二极管），mrad：90.0。

使您能够显着简化检查、配置和演示微处理器继电保护单元的过程。 使用该支架可以显着简化演示、测试和配置微处理器继电保护单元的过程。该支架可以测试过流保护和单相接地故障等保护，包括方向保护、最小电压保护、中压继电保护、线路缺相保护。使用该支架可以方便地检查继电保护和自动化单元的自动化功能，例如断路器故障、自动重合闸、自动切换等。

低噪声微波放大器广泛应用于要求低噪声的接收应用领域。 产品的工作条件    - 环境温度从 - 50 °С 到 + 55 °С；    - 温度为 35 °С 时，最大湿度为 95%。

目的和功能： · 通过 IRIG-B 协议通过光通信通道向远程用户传输精确的时间信号，传输距离可达 1 公里 · 将信号重新传输到多个通道，从而确保从一到八个设备连接到一台时间服务器

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：4 高度，毫米：0.5±0.02 厚度，毫米：0.4±0.01 折射率，毫米：1.823 有效焦距，mm：0.3 后焦距，mm：0.08 透射率，%：>99.5 角度 ± 2.2 mrad 内的功率，%：>92 抗反射涂层，nm 适用于范围内的波长之一：400-1500 数值孔径：0.7 表面质量λ=633，纳米：λ/4。

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：13 高度，毫米：1 厚度，毫米：1.5 折射率，毫米：1.823 周期，毫米：0.4 45°位置半径，毫米：1.35 透射率，%：≥99.5 抗反射涂层，nm，适用于范围内的波长之一：400-1500 λ = 633 nm 处的表面质量：λ/4。

USVI (PMU) 功能： · 支持使用C37.118-2011协议在线计算和数据传输 · 具有两个内置以太网接口，用于连接安装地点的局域网 · 保存数据以便以后通过 FTP 访问 – 离线模式

硅外延平面 n-p-n 高功率开关高压晶体管 2T856A、B、V、G，采用金属玻璃外壳 KT-9，设计用于开关电路、脉冲调制器、二次电源和其他专用设备电路。晶体管符合技术规范 aAO.339.383TU

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，mm：5.8±0.02 高度，毫米：1.5±0.02 厚度，毫米：1.0±0.01 折射率，毫米：1.823 节距，毫米：1.0 半径，毫米：6.52 有效焦距，毫米：8.01 后焦距，毫米：7.45 透射率，%：>99.5 防反射涂层，nm，适用于以下范围内的波长之一：400-1500 数值孔径：0.056 λ = 633 nm 时的表面质量：λ/4 全角残余偏差 FW1/e2（对于无线性偏差的激光二极管），mrad：12.5。