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技术规格: 双通道电探针的主要参数由GOST19912-2012规范，其中显示了探针的几何尺寸和测量土壤电阻指标的基本误差的要求。 A2/350探头是模拟设备。 测量锥体上的力和探头的摩擦耦合的允许范围由它们的设计特征决定。 A2/350探头没有安装测斜仪。 根据GOST19912-2012，第5.2.4条：当测试土壤深度超过10m时，应使用配备测斜仪的探头，其读数必须用于确定探测的实际深度并防止探头故障。 如果需要探测深度超过10米，我们建议使用K4M套件。 TEST-K2M套件中使用的探针的主要参数 探头类型根据GOST19912-2012electric 锥形底座直径，mm35.7 顶部的角度，60度 摩擦联轴器的直径，mm35.7 摩擦离合器长度，mm310 摩擦耦合面积，cm2 350 土壤电阻率沿锥测量范围，MPa0.2–50 摩擦耦合测量土壤电阻率范围，kPa3-571 测量土壤比电阻的基本误差不超过5% 记录式双通道测量装置TEST-K2M设计用于测量应变片半桥的不平衡，放大和数字化信号，显示测量结果，将其存储在内存中并传输到计算机进行处理。

技术规格: TEST-K4M套件使用数字应变计探头a3/350和T4/350。 A3/350探头有三个测量通道：锥体电阻qc（MPa），摩擦耦合土壤电阻fs（kPa）和测斜仪a（°）。 根据GOST19912-2021，第5.2.4段：当测试土壤深度超过10m时，应使用配备测斜仪的探头，其读数必须用于确定探测的实际深度并防止探头故障。 T4/350探头有四个测量通道：锥体电阻qc(MPa)、土壤摩擦耦合电阻fs(kPa)、测斜仪a(°)和土壤温度t2(探头锥体°C)。 A3/350和T4/350数字探头具有高测量精度，热补偿和所有通道的标准化参数。 操作期间的数据传输以数字形式进行。 TEST-K4M套件包括1-A3–350–50/20版本的探针。 探头在制造商处配置：锥体-50MPa，耦合-571kPa。 对于在弱土壤中操作，提供2-A3–350–25/20设计的探头，这些探头通过"锥形"通道—25MPa，通过"耦合"通道—571kPa进行配置。 每个探针都有一个护照，它指示探针编号，"锥体"和"耦合"通道的设置。 数字探头的基本参数 探头类型根据GOST19912-2012electric 锥形底座直径，mm35.7 顶部的角度，60度 摩擦联轴器的直径，mm35.7 摩擦离合器长度，mm310 摩擦耦合面积，cm2 350 沿锥体测量土壤电阻率范围（版本1），0.05-50MPa 沿锥体土壤电阻率测量范围（版本2），MPa0.025-25 摩擦耦合比土压力测量范围（版本1），kPa0.6-571 摩擦耦合比土压力测量范围（版本2），kPa0.6-571 测量土壤比电阻的基本误差不超过5% 偏离垂直的角度，度1-20 地面温度测量范围，-20°C。.+40 记录装置(TEST-K4M控制器)设计用于显示、保存和将感测的结果传送到个人计算机以供后续处理。 该控制器配有用于将数据传输到PC的USB接口和用于将数据写入USB闪存驱动器的USB连接器。

PARMA UACHR 12 旨在通过在频率降低时自动断开用电设备的连接，然后在频率恢复时自动重新连接之前断开的用电设备来消除网络中有功功率的短缺，以及消除网络中无功功率的短缺。当电压下降时，通过断开用电设备的连接，然后在电压恢复时自动重新连接，打开之前断开的用电设备。 PARMA UACHR 12可以执行分度自动装置的功能，用于电力系统的发电厂和变电站，也可以作为0.4kV网络的本地紧急自动装置的装置，作为自动负载控制系统的一部分。 PARMA UACHR 12 是俄罗斯第一款获得符合 SO UES JSC STO 59012820.29.020.003-2016“继电保护和自动化”组织标准要求的证书的微处理器减频设备。电力系统模式的自动紧急控制。用于自动频率卸载的微处理器装置。规范和要求”编号NC11.SO.RU.0417.0001 一台设备 PARMA UAChR 12 可以替代 RSG-11 型微电子或机电继电器上制作的标准 AChR 电路； RF-1、RF-2 和 URCH-ZM

目的 测量时使用： · 高压绝缘（电容器、套管、变压器、绝缘子）的电容和介质损耗角正切 · 实验室和现场条件下液体电介质的局部放电特性，配有绝缘参数计（例如 PARMA TENZOR-2）

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：13 高度，毫米：1 厚度，毫米：1.5 折射率，毫米：1.823 周期，毫米：0.5 45°位置半径，毫米：1.35 透过率，%：≥99.5 抗反射涂层，nm 适用于范围内的波长之一：400-1500 λ = 633 nm 处的表面质量：λ/4。

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：12 高度，毫米：0.5±0.01 厚度，毫米：0.36±0.05 折射率，毫米：1.823 有效焦距，mm：0.29 后焦距，mm：0.09 透射率，%：>99.5 角度 ± 2.3 mrad 内的功率，%：>85 抗反射涂层，nm 适用于范围内的波长之一：400-1500 数值孔径：0.5 表面质量λ=633，纳米：λ/4。

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：15 高度，毫米：6.5 厚度，毫米：2.81 折射率，毫米：1.823 有效焦距，毫米：14.2 半径，毫米：11.7 后焦距 12.7，毫米：≥99.5 透射率，% 适用于范围内的波长之一：400-1500 抗反射涂层，纳米： FA：0.5，SA：0.1 λ = 633 nm 处的表面质量：λ/4。

硅外延平面 n-p-n 高功率开关高压晶体管 2T878A、2T878B、2T878V，采用金属玻璃外壳 KT-9，设计用于开关电路、脉冲调制器、二次电源和其他专用设备电路。 晶体管符合技术规范 aAO.339.574TU

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：12 高度，毫米：1.0±0.02 厚度，毫米：0.36±0.01 折射率，毫米：1.823 有效焦距，mm：0.29 后焦距，mm：0.09 透射率，%：>99.5 角度 ± 2.3 mrad 内的功率，%：>85 抗反射涂层，nm 适用于范围内的波长之一：400-1500 数值孔径：0.5 表面质量λ=633，纳米：λ/4。

规格 材质：S-TIH53（大原） 长度，毫米：5.8±0.02 高度，毫米：1.5±0.02 厚度，毫米：0.55±0.01 折射率，毫米：1.823 节距，毫米：0.5 半径，毫米：1.49 有效焦距，毫米：1.81 后焦距，毫米：1.5 透射率，%：>99.5 抗反射涂层，nm 适用于范围内的波长之一：400-1500 数值孔径：0.09 表面质量 λ = 633 nm% λ/4 全角残余偏差 FW1/e2（对于无线性偏差的激光二极管），mrad：90.0。

使您能够显着简化检查、配置和演示微处理器继电保护单元的过程。 使用该支架可以显着简化演示、测试和配置微处理器继电保护单元的过程。该支架可以测试过流保护和单相接地故障等保护，包括方向保护、最小电压保护、中压继电保护、线路缺相保护。使用该支架可以方便地检查继电保护和自动化单元的自动化功能，例如断路器故障、自动重合闸、自动切换等。